Корзина пуста
Биполярный транзистор S8050 — высокочастотный NPN транзистор общего назначения. Используется для усиления звука, широко применяется в различных электронных схемах для коммутации.
Распиновка: Если положить транзистор перед собой лицевой (плоской) стороной вверх выводами к себе, распиновка следующая: левый контакт – эмиттер, средний контакт – база, правый контакт – коллектор.
Характеристики:
Тип проводимости NPN;
Тип корпуса ТО-92 или SOT-23; Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С); Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft)100 МГц (MHz);
Максимально допустимое обратное напряжении на коллекторном переходе (Collector-Base Voltage) U КБ макс .(VCBО ) не более 40 В (V);
Коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) от 85 до 300 hFE;
Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО(ICBO) у транзистора S8050 не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40 В (V) и отключенном эммитере (IЭ (IE)=0);
Максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) от — 65 до +150 градусов (C).
Транзистор S8050 это электронный компонент, отлично подходящий для выполнения общих задач в электронных схемах. Его можно использовать в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 mA. 700 mA достаточно для работы с различными малыми и средними нагрузками. Также этот транзистор часто используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.
Будьте внимательны и не эксплуатируйте транзистор данной серии в схемах с напряжением выше 20 В и нагрузкой более 700 mA. Используйте резистор, ограничивающий ток базы до допустимого уровня; Не подвергайте транзистор нагреву более 150 и ниже минус 60 °C.
Видеообзор:
Видеоматериал «Простой усилитель на S8050 транзисторе» на канале «Creative Fasly»:
Сообщения не найдены